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2010-2015年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)與戰(zhàn)略投資前景咨詢(xún)報(bào)告
- 【報(bào)告名稱(chēng)】2010-2015年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)與戰(zhàn)略投資前景咨詢(xún)報(bào)告
- 【關(guān) 鍵 字】半導(dǎo)體材料 市場(chǎng)分析 行業(yè)分析 行業(yè)研究 行業(yè)咨詢(xún)
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【報(bào)告前言】
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱(chēng)為第一代半導(dǎo)體材料；將砷化鎵、磷化錮、磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱(chēng)為第二代半導(dǎo)體材料；而將寬禁帶(Eg>2.3eV)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ)，下表列出了主要半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況。表中禁帶寬度決定發(fā)射光的波長(zhǎng)，禁帶寬度越大發(fā)射光波長(zhǎng)越短(藍(lán)光發(fā)射)；禁帶寬度越小發(fā)射光波長(zhǎng)越長(zhǎng)。其它參數(shù)數(shù)值越高，半導(dǎo)體性能越好。電子遷移速率決定半導(dǎo)體低壓條件下的高頻工作性能，飽和速率決定半導(dǎo)體高壓條件下的高頻工作性能。
硅材料具有儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉、熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良、易于生長(zhǎng)大尺寸高純度晶體等優(yōu)點(diǎn)，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路(IC)是用硅材料制作的。在21世紀(jì)，它的主導(dǎo)和核心地位仍不會(huì)動(dòng)搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng)用。
砷化鎵材料的電子遷移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和光電性能，并可在同一芯片同時(shí)處理光電信號(hào)，被公認(rèn)是新一代的通信用材料。隨著高速信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。同時(shí)，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。選擇寬帶隙半導(dǎo)體材料的主要理由是顯而易見(jiàn)的。氮化鎵的熱導(dǎo)率明顯高于常規(guī)半導(dǎo)體。這一屬性在高功率放大器和激光器中是很起作用的。帶隙大小本身是熱生率的主要貢獻(xiàn)者。在任意給定的溫度下，寬帶隙材料的熱生率比常規(guī)半導(dǎo)體的小10～14個(gè)數(shù)量級(jí)。這一特性在電荷耦合器件、新型非易失性高速存儲(chǔ)器中起很大的作用，并能實(shí)質(zhì)性地減小光探測(cè)器的暗電流。寬帶隙半導(dǎo)體材料的高介電強(qiáng)度最適合用于高功率放大器、開(kāi)關(guān)和二極管。寬帶隙材料的相對(duì)介電常數(shù)比常規(guī)材料的要小，由于對(duì)寄生參數(shù)影響小，這對(duì)毫米波放大器而言是有利用價(jià)值的。電荷載流子輸運(yùn)特性是許多器件尤其是工作頻率為微波、毫米波放大器的一個(gè)重要特性。寬帶隙半導(dǎo)體材料的電子遷移率一般沒(méi)有多數(shù)通用半導(dǎo)體的高，其空穴遷移率一般較高，金剛石則很高。寬帶隙材料的高電場(chǎng)電子速度(飽和速度)一般較常規(guī)半導(dǎo)體高得多，這就使得寬帶隙材料成為毫米波放大器的首選者。
氮化鎵材料的禁帶寬度為硅材料的3倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光電子應(yīng)用方面具有遠(yuǎn)比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍(lán)綠光、紫外光的發(fā)光器件和探測(cè)器件。近年來(lái)取得了很大進(jìn)展，并開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。與制造技術(shù)非常成熟和制造成本相對(duì)較低的硅半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料目前面臨的最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適合氮化鎵薄膜生長(zhǎng)的低成本襯底材料和大尺寸的氮化鎵體單晶生長(zhǎng)工藝。
主要半導(dǎo)體材料的用途如下表所示�？梢灶A(yù)見(jiàn)：以硅材料為主體、GaAs半導(dǎo)體材料及新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。
2009年只有LED和NAND閃存這兩個(gè)主要半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域逃脫下滑的命運(yùn)。由于手機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品的需求上升，NAND閃存市場(chǎng)在2009年增長(zhǎng)了15%。LED在多種應(yīng)用中的占有率快速上升，尤其是液晶電視背光應(yīng)用，導(dǎo)致LED營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)5%以上。這讓專(zhuān)注于這些產(chǎn)品的韓國(guó)廠(chǎng)商受益非淺。主要NAND閃存供應(yīng)商三星電子和海力士半導(dǎo)體，是2009年全球10大芯片廠(chǎng)商中唯一兩家實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的廠(chǎng)商。同時(shí)，LED廠(chǎng)商首爾半導(dǎo)體的2009年?duì)I業(yè)收入大增近90%。2009年，總部在韓國(guó)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)3.6%。iSuppli公司追蹤的全部韓國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商中，有四分之三以上在2009年實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。同樣的產(chǎn)品和需求趨勢(shì)也讓臺(tái)灣廠(chǎng)商在2009年受惠，總部在該地區(qū)的供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)1.1%。2009年有一半以上的臺(tái)灣供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。聯(lián)發(fā)科、南亞科技和旺宏是表現(xiàn)優(yōu)異的臺(tái)灣廠(chǎng)商，2009年?duì)I業(yè)收入分別增長(zhǎng)了22.6%、21.2%和14.4%。
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)在仍呈現(xiàn)兩大熱點(diǎn)：一是太陽(yáng)能電池設(shè)備。由于歐洲太陽(yáng)能電池需求拉動(dòng)作用，使國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)呈爆炸性增長(zhǎng)，極大地促進(jìn)了以生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片為主的半導(dǎo)體設(shè)備的增長(zhǎng)，使其成為今年半導(dǎo)體設(shè)備的主要組成部分。第二依然是IC設(shè)備。集成電路的市場(chǎng)空前廣闊，為IC設(shè)備創(chuàng)造了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。2009 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)為682億美元，較08年略微增長(zhǎng)0.29%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮，中國(guó)市場(chǎng)的下滑要小的多。預(yù)計(jì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年將增長(zhǎng)17.45%,達(dá)到801億美元。2014年將達(dá)到1504億美元。
【報(bào)告目錄】
第一章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境分析 19
第一節(jié) 2009-2010年中國(guó)宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析 19
一、中國(guó)GDP分析 19
二、城鄉(xiāng)居民家庭人均可支配收入 21
三、恩格爾系數(shù) 22
四、中國(guó)城鎮(zhèn)化率 24
五、存貸款利率變化 26
六、財(cái)政收支狀況 30
第二節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境分析 31
一、《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》 31
二、新政策對(duì)半導(dǎo)體材料業(yè)有積極作用 36
三、進(jìn)出口政策分析 37
第三節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)社會(huì)環(huán)境分析 37
第二章 2009-2010年半導(dǎo)體材料發(fā)展基本概述 42
第一節(jié) 主要半導(dǎo)體材料概況 42
一、半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)述 42
二、半導(dǎo)體材料的種類(lèi) 42
三、半導(dǎo)體材料的制備 43
第二節(jié) 其他半導(dǎo)體材料的概況 45
一、非晶半導(dǎo)體材料概況 45
二、GaN材料的特性與應(yīng)用 45
三、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展 51
第三章 2009-2010年世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行形勢(shì)綜述 54
第一節(jié) 2009-2010年全球總體市場(chǎng)發(fā)展分析 54
一、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨變 54
二、世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整合期 54
三、亞太地區(qū)的半導(dǎo)體出貨量受金融危機(jī)影響較小 54
五、模擬IC遭受重挫，無(wú)線(xiàn)下滑幅度最小 55
第二節(jié) 2009-2010年主要國(guó)家或地區(qū)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)分析 56
一、比利時(shí)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 56
二、德國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 56
三、日本半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 57
四、韓國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 57
五、中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 59
第四章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析 63
第一節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展概述 63
一、全球代工將形成兩強(qiáng)的新格局 63
二、應(yīng)加強(qiáng)與中國(guó)本地制造商合作 65
三、電子材料業(yè)對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)的影響 66
第二節(jié) 2009-2010年半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)動(dòng)態(tài) 66
一、元器件企業(yè)增勢(shì)強(qiáng)勁 66
二、應(yīng)用材料企業(yè)進(jìn)軍封裝 66
第三節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展存在問(wèn)題分析 67
第五章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)分析 69
第一節(jié) 2009-2010年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀分析 69
一、硅太陽(yáng)能技術(shù)占主導(dǎo) 69
二、產(chǎn)業(yè)呼喚政策擴(kuò)大內(nèi)需 69
第二節(jié) 2009-2010年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)動(dòng)態(tài)分析 70
一、功率半導(dǎo)體技術(shù)動(dòng)態(tài) 70
二、閃光驅(qū)動(dòng)器技術(shù)動(dòng)態(tài) 71
三、封裝技術(shù)動(dòng)態(tài) 72
四、太陽(yáng)光電系統(tǒng)技術(shù)動(dòng)態(tài) 76
第三節(jié) 2010-2014年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)前景分析 76
第六章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料氮化鎵產(chǎn)業(yè)運(yùn)行分析 81
第一節(jié) 2009-2010年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)介紹 81
一、第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程 81
二、當(dāng)前半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)和趨勢(shì) 81
三、寬禁帶半導(dǎo)體材料 82
第二節(jié) 2009-2010年中國(guó)氮化鎵的發(fā)展概況 82
一、氮化鎵半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r 82
二、氮化鎵照亮半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè) 83
三、GaN藍(lán)光產(chǎn)業(yè)的重要影響 85
第三節(jié) 2009-2010年中國(guó)氮化鎵的研發(fā)和應(yīng)用狀況 86
一、中科院研制成功氮化鎵基激光器 86
二、方大集團(tuán)率先實(shí)現(xiàn)氮化鎵基半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化 86
三、非極性氮化鎵材料的研究有進(jìn)展 87
四、氮化鎵的應(yīng)用范圍 87
第七章 2009-2010年中國(guó)其他半導(dǎo)體材料運(yùn)行局勢(shì)分析 88
第一節(jié) 砷化鎵 88
一、砷化鎵單晶材料國(guó)際發(fā)展概況 88
二、砷化鎵的特性 89
三、砷化鎵研究狀況 89
四、寬禁帶氮化鎵材料 90
第二節(jié) 碳化硅 93
一、半導(dǎo)體硅材料介紹 93
二、多晶硅 95
三、單晶硅和外延片 96
四、高溫碳化硅 97
第八章 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)主要指標(biāo)監(jiān)測(cè)分析 98
第一節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)回顧 98
一、競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)數(shù)量 98
二、虧損面情況 99
三、市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng) 101
四、利潤(rùn)總額增長(zhǎng) 102
五、投資資產(chǎn)增長(zhǎng)性 103
六、行業(yè)從業(yè)人數(shù)調(diào)查分析 104
第二節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)投資價(jià)值測(cè)算 106
一、銷(xiāo)售利潤(rùn)率 106
二、銷(xiāo)售毛利率 107
三、資產(chǎn)利潤(rùn)率 108
四、未來(lái)5年半導(dǎo)體分立器件制造盈利能力預(yù)測(cè) 110
第三節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷(xiāo)率調(diào)查 113
一、工業(yè)總產(chǎn)值 113
二、工業(yè)銷(xiāo)售產(chǎn)值 114
三、產(chǎn)銷(xiāo)率調(diào)查 115
第九章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)分析 117
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 117
一、國(guó)外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 117
二、國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 117
三、LED產(chǎn)業(yè)所面臨的問(wèn)題分析 117
四、2010-2014年LDE產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及前景分析 118
第二節(jié) 集成電路 119
一、中國(guó)集成電路銷(xiāo)售情況分析 119
二、集成電路及微電子組件（8542）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析 120
三、集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)分析 120
第三節(jié) 電子元器件 121
一、電子元器件的發(fā)展特點(diǎn)分析 121
二、電子元件產(chǎn)量分析 122
三、電子元器件的趨勢(shì)分析 123
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 124
一、半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)分析 124
二、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析 124
三、半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢(shì)分析 125
第十章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析 127
第一節(jié) 2009-2010年歐洲半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 127
第二節(jié) 2009-2010年我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 128
一、半導(dǎo)體照明應(yīng)用市場(chǎng)突破分析 128
二、單芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 129
三、太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 131
第三節(jié) 2009-2010年我國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 132
一、國(guó)內(nèi)硅材料企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 132
二、政企聯(lián)動(dòng)競(jìng)爭(zhēng)分析 132
第十一章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商競(jìng)爭(zhēng)性財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析 134
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 134
一、企業(yè)概況 134
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 134
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 134
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 135
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 135
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 136
一、企業(yè)概況 136
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 137
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 137
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 137
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 138
第三節(jié) 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 138
一、企業(yè)概況 138
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 139
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 139
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 139
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 140
第四節(jié) 南京華東電子信息科技股份有限公司 140
一、企業(yè)概況 141
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 141
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 141
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 142
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 142
第五節(jié) 峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng) 143
一、企業(yè)基本概況 143
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 143
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 144
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 145
第六節(jié) 洛陽(yáng)中硅高科有限公司 145
一、企業(yè)基本概況 145
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 145
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 146
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 147
第七節(jié) 北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司 147
一、企業(yè)基本概況 147
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 147
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 148
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 149
第八節(jié) 北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司 149
一、企業(yè)基本概況 149
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 149
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 150
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 151
第九節(jié) 上海九晶電子材料有限公司 151
一、企業(yè)基本概況 151
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 152
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 152
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 153
第十節(jié) 東莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司 153
一、企業(yè)基本概況 154
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 154
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 154
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 155
第十一節(jié) 河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司 155
一、企業(yè)基本概況 156
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 156
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 157
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 157
第十二章 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析 159
第一節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)趨勢(shì) 159
一、2010-2014年國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)分析 159
二、市場(chǎng)低迷創(chuàng)新機(jī)遇分析 159
三、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)整合 159
第二節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 161
一、全球光通信市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 161
二、化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 162
第三節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額預(yù)測(cè)分析 163
第四節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)分析 164
一、半導(dǎo)體電子設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 164
二、GPS芯片產(chǎn)量預(yù)測(cè)分析 165
三、高性能半導(dǎo)體模擬器件的發(fā)展預(yù)測(cè) 165
第十三章 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資咨詢(xún)分析 168
第一節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資環(huán)境分析 168
第二節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資機(jī)會(huì)分析 171
一、半導(dǎo)體材料投資潛力分析 171
二、半導(dǎo)體材料投資吸引力分析 171
第三節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)分析 173
一、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)分析 173
二、政策風(fēng)險(xiǎn)分析 173
三、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析 174
第四節(jié) 專(zhuān)家建議 174
【圖表目錄】
圖表 1 2009年中國(guó)主要宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)增長(zhǎng)表 19
圖表 2 2000-2009年中國(guó)GDP及其增長(zhǎng)率統(tǒng)計(jì)表 19
圖表 3 2003-2009年中國(guó)GDP增長(zhǎng)率季度統(tǒng)計(jì)表 20
圖表 4 2003-2009年中國(guó)GDP增長(zhǎng)率季度走勢(shì)圖 21
圖表 5 1978-2009年中國(guó)居民收入及恩格爾系數(shù)統(tǒng)計(jì)表 21
圖表 6 中國(guó)城鄉(xiāng)居民收入走勢(shì)對(duì)比 22
圖表 7 1978-2008中國(guó)城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)對(duì)比表 23
圖表 8 1978-2008中國(guó)城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)走勢(shì)圖 24
圖表 9 2001-2008年中國(guó)城鎮(zhèn)化率走勢(shì)圖 25
圖表 10 2004-2009年央行歷次存貸款基準(zhǔn)利率 26
圖表 11 1984-2010年1月中國(guó)存款準(zhǔn)備金率歷次調(diào)整一覽表 26
圖表 12 央行歷次調(diào)整利率及股市第二交易日表現(xiàn)情況 28
圖表 13 05~09年中國(guó)財(cái)政收入增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 30
圖表 14 2000-2009年中國(guó)網(wǎng)民規(guī)模增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 38
圖表 15 2005-2009年中國(guó)大陸網(wǎng)民規(guī)模與互聯(lián)網(wǎng)普及率 38
圖表 16 截止至2009年6月中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表 39
圖表 17 部分國(guó)家的互聯(lián)網(wǎng)普及率統(tǒng)計(jì)表 39
圖表 18 截止至2009年6月中國(guó)網(wǎng)民性別結(jié)構(gòu)分布圖 40
圖表 19 截止至2009年6月網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用使用率排名和類(lèi)別 40
圖表 20 網(wǎng)民對(duì)生活形態(tài)語(yǔ)句的總體認(rèn)同度統(tǒng)計(jì)表 41
圖表 21 釬鋅礦GAN和閃鋅礦GAN的特性 46
圖表 22 雙氣流MOCVD生長(zhǎng)GAN裝置 48
圖表 23 GAN基器件與CAAS及SIC器件的性能比較 49
圖表 24 2009年全球各地區(qū)半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入表（單位：百萬(wàn)美元） 54
圖表 25 2009年全球半導(dǎo)體廠(chǎng)商營(yíng)業(yè)收入的最終排名表（百萬(wàn)美元） 55
圖表 26 韓國(guó)政府促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃和立法 58
圖表 27 2009年第四季我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)及預(yù)估(單位：億新臺(tái)幣) 61
圖表 28 全球FABLESS與半導(dǎo)體銷(xiāo)售額走勢(shì)情況 63
圖表 29 全球代工市場(chǎng) 64
圖表 30 LED照明在各種應(yīng)用的滲透比例 77
圖表 31 基于安森美半導(dǎo)體CAT4026的大尺寸LED背光液晶電視多通道線(xiàn)性側(cè)光方案 79
圖表 32 GAAS單晶生產(chǎn)方法比較 88
圖表 33 世界GAAS單晶主要生產(chǎn)廠(chǎng)家 89
圖表 34 SIC器件的研究概表 91
圖表 35 現(xiàn)代微電子工業(yè)對(duì)硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求 94
圖表 36 多晶硅質(zhì)量指標(biāo) 95
圖表 37 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 98
圖表 38 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)虧損企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 100
圖表 39 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)虧損額增長(zhǎng)情況 100
圖表 40 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 101
圖表 41 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)利潤(rùn)總額增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 102
圖表 42 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)資產(chǎn)增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 103
圖表 43 2008-2009年金融危機(jī)影響下全球著名企業(yè)裁員名錄 104
圖表 44 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)從業(yè)人數(shù)增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 105
圖表 45 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售利潤(rùn)率走勢(shì)圖 106
圖表 46 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售毛利率走勢(shì)圖 107
圖表 47 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率指標(biāo)統(tǒng)計(jì)表 108
圖表 48 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖 109
圖表 49 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖 109
圖表 50 2009-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售毛利率走勢(shì)圖 110
圖表 51 2009-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售利潤(rùn)率走勢(shì)圖 111
圖表 52 2009-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖 112
圖表 53 2006-2008年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值情況 114
圖表 54 2006-2008年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)工業(yè)銷(xiāo)售產(chǎn)值走勢(shì) 114
圖表 55 2006-2008年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷(xiāo)率走勢(shì)圖 115
圖表 56 2005-2009年中國(guó)集成電路市場(chǎng)銷(xiāo)售額規(guī)模及增長(zhǎng)圖 119
圖表 57 2002-2009年中國(guó)集成電路及微電子組件進(jìn)出口統(tǒng)計(jì)表 120
圖表 58 2007-2009年中國(guó)各省市集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)（萬(wàn)塊） 120
圖表 59 2007-2009年中國(guó)各省市電子元件產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)表（萬(wàn)只） 122
圖表 60 2007-2009年中國(guó)各省市半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)表（萬(wàn)只） 124
圖表 61 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 134
圖表 62 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 134
圖表 63 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 135
圖表 64 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 135
圖表 65 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司償債能力指標(biāo)表 135
圖表 66 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 137
圖表 67 2005-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 137
圖表 68 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 137
圖表 69 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 138
圖表 70 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司償債能力指標(biāo)表 138
圖表 71 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 139
圖表 72 2004-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 139
圖表 73 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 139
圖表 74 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 140
圖表 75 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司償債能力指標(biāo)表 140
圖表 76 2002-2009年南京華東電子信息科技股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 141
圖表 77 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 141
圖表 78 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 142
圖表 79 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 142
圖表 80 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司償債能力指標(biāo)表 142
圖表 81 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)收入狀況表 143
圖表 82 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)盈利指標(biāo)表 143
圖表 83 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)盈利比率 144
圖表 84 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)資產(chǎn)指標(biāo)表 144
圖表 85 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)負(fù)債指標(biāo)表 144
圖表 86 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)成本費(fèi)用構(gòu)成表 145
圖表 87 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司收入狀況表 145
圖表 88 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司盈利指標(biāo)表 146
圖表 89 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司盈利比率 146
圖表 90 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 146
圖表 91 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司負(fù)債指標(biāo)表 146
圖表 92 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 147
圖表 93 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司收入狀況表 148
圖表 94 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司盈利指標(biāo)表 148
圖表 95 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司盈利比率 148
圖表 96 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 148
圖表 97 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司負(fù)債指標(biāo)表 149
圖表 98 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 149
圖表 99 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司收入狀況表 150
圖表 100 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司盈利指標(biāo)表 150
圖表 101 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司盈利比率 150
圖表 102 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 150
圖表 103 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司負(fù)債指標(biāo)表 151
圖表 104 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 151
圖表 105 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司收入狀況表 152
圖表 106 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司盈利指標(biāo)表 152
圖表 107 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司盈利比率 152
圖表 108 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 153
圖表 109 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司負(fù)債指標(biāo)表 153
圖表 110 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 153
圖表 111 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司收入狀況表 154
圖表 112 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司盈利指標(biāo)表 154
圖表 113 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司盈利比率 154
圖表 114 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 155
圖表 115 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司負(fù)債指標(biāo)表 155
圖表 116 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 155
圖表 117 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司收入狀況表 156
圖表 118 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司盈利指標(biāo)表 156
圖表 119 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司盈利比率 157
圖表 120 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司資產(chǎn)指標(biāo)表 157
圖表 121 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司負(fù)債指標(biāo)表 157
圖表 122 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 158
圖表 123 2008-2014年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)及預(yù)測(cè)情況 163
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱(chēng)為第一代半導(dǎo)體材料；將砷化鎵、磷化錮、磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱(chēng)為第二代半導(dǎo)體材料；而將寬禁帶(Eg>2.3eV)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ)，下表列出了主要半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況。表中禁帶寬度決定發(fā)射光的波長(zhǎng)，禁帶寬度越大發(fā)射光波長(zhǎng)越短(藍(lán)光發(fā)射)；禁帶寬度越小發(fā)射光波長(zhǎng)越長(zhǎng)。其它參數(shù)數(shù)值越高，半導(dǎo)體性能越好。電子遷移速率決定半導(dǎo)體低壓條件下的高頻工作性能，飽和速率決定半導(dǎo)體高壓條件下的高頻工作性能。
硅材料具有儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉、熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良、易于生長(zhǎng)大尺寸高純度晶體等優(yōu)點(diǎn)，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路(IC)是用硅材料制作的。在21世紀(jì)，它的主導(dǎo)和核心地位仍不會(huì)動(dòng)搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng)用。
砷化鎵材料的電子遷移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和光電性能，并可在同一芯片同時(shí)處理光電信號(hào)，被公認(rèn)是新一代的通信用材料。隨著高速信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。同時(shí)，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。選擇寬帶隙半導(dǎo)體材料的主要理由是顯而易見(jiàn)的。氮化鎵的熱導(dǎo)率明顯高于常規(guī)半導(dǎo)體。這一屬性在高功率放大器和激光器中是很起作用的。帶隙大小本身是熱生率的主要貢獻(xiàn)者。在任意給定的溫度下，寬帶隙材料的熱生率比常規(guī)半導(dǎo)體的小10～14個(gè)數(shù)量級(jí)。這一特性在電荷耦合器件、新型非易失性高速存儲(chǔ)器中起很大的作用，并能實(shí)質(zhì)性地減小光探測(cè)器的暗電流。寬帶隙半導(dǎo)體材料的高介電強(qiáng)度最適合用于高功率放大器、開(kāi)關(guān)和二極管。寬帶隙材料的相對(duì)介電常數(shù)比常規(guī)材料的要小，由于對(duì)寄生參數(shù)影響小，這對(duì)毫米波放大器而言是有利用價(jià)值的。電荷載流子輸運(yùn)特性是許多器件尤其是工作頻率為微波、毫米波放大器的一個(gè)重要特性。寬帶隙半導(dǎo)體材料的電子遷移率一般沒(méi)有多數(shù)通用半導(dǎo)體的高，其空穴遷移率一般較高，金剛石則很高。寬帶隙材料的高電場(chǎng)電子速度(飽和速度)一般較常規(guī)半導(dǎo)體高得多，這就使得寬帶隙材料成為毫米波放大器的首選者。
氮化鎵材料的禁帶寬度為硅材料的3倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光電子應(yīng)用方面具有遠(yuǎn)比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍(lán)綠光、紫外光的發(fā)光器件和探測(cè)器件。近年來(lái)取得了很大進(jìn)展，并開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。與制造技術(shù)非常成熟和制造成本相對(duì)較低的硅半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料目前面臨的最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適合氮化鎵薄膜生長(zhǎng)的低成本襯底材料和大尺寸的氮化鎵體單晶生長(zhǎng)工藝。
主要半導(dǎo)體材料的用途如下表所示�？梢灶A(yù)見(jiàn)：以硅材料為主體、GaAs半導(dǎo)體材料及新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。
2009年只有LED和NAND閃存這兩個(gè)主要半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域逃脫下滑的命運(yùn)。由于手機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品的需求上升，NAND閃存市場(chǎng)在2009年增長(zhǎng)了15%。LED在多種應(yīng)用中的占有率快速上升，尤其是液晶電視背光應(yīng)用，導(dǎo)致LED營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)5%以上。這讓專(zhuān)注于這些產(chǎn)品的韓國(guó)廠(chǎng)商受益非淺。主要NAND閃存供應(yīng)商三星電子和海力士半導(dǎo)體，是2009年全球10大芯片廠(chǎng)商中唯一兩家實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的廠(chǎng)商。同時(shí)，LED廠(chǎng)商首爾半導(dǎo)體的2009年?duì)I業(yè)收入大增近90%。2009年，總部在韓國(guó)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)3.6%。iSuppli公司追蹤的全部韓國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商中，有四分之三以上在2009年實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。同樣的產(chǎn)品和需求趨勢(shì)也讓臺(tái)灣廠(chǎng)商在2009年受惠，總部在該地區(qū)的供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)1.1%。2009年有一半以上的臺(tái)灣供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。聯(lián)發(fā)科、南亞科技和旺宏是表現(xiàn)優(yōu)異的臺(tái)灣廠(chǎng)商，2009年?duì)I業(yè)收入分別增長(zhǎng)了22.6%、21.2%和14.4%。
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)在仍呈現(xiàn)兩大熱點(diǎn)：一是太陽(yáng)能電池設(shè)備。由于歐洲太陽(yáng)能電池需求拉動(dòng)作用，使國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)呈爆炸性增長(zhǎng)，極大地促進(jìn)了以生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片為主的半導(dǎo)體設(shè)備的增長(zhǎng)，使其成為今年半導(dǎo)體設(shè)備的主要組成部分。第二依然是IC設(shè)備。集成電路的市場(chǎng)空前廣闊，為IC設(shè)備創(chuàng)造了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。2009 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)為682億美元，較08年略微增長(zhǎng)0.29%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮，中國(guó)市場(chǎng)的下滑要小的多。預(yù)計(jì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年將增長(zhǎng)17.45%,達(dá)到801億美元。2014年將達(dá)到1504億美元。
【報(bào)告目錄】
第一章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境分析 19
第一節(jié) 2009-2010年中國(guó)宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析 19
一、中國(guó)GDP分析 19
二、城鄉(xiāng)居民家庭人均可支配收入 21
三、恩格爾系數(shù) 22
四、中國(guó)城鎮(zhèn)化率 24
五、存貸款利率變化 26
六、財(cái)政收支狀況 30
第二節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境分析 31
一、《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》 31
二、新政策對(duì)半導(dǎo)體材料業(yè)有積極作用 36
三、進(jìn)出口政策分析 37
第三節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)社會(huì)環(huán)境分析 37
第二章 2009-2010年半導(dǎo)體材料發(fā)展基本概述 42
第一節(jié) 主要半導(dǎo)體材料概況 42
一、半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)述 42
二、半導(dǎo)體材料的種類(lèi) 42
三、半導(dǎo)體材料的制備 43
第二節(jié) 其他半導(dǎo)體材料的概況 45
一、非晶半導(dǎo)體材料概況 45
二、GaN材料的特性與應(yīng)用 45
三、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展 51
第三章 2009-2010年世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行形勢(shì)綜述 54
第一節(jié) 2009-2010年全球總體市場(chǎng)發(fā)展分析 54
一、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨變 54
二、世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整合期 54
三、亞太地區(qū)的半導(dǎo)體出貨量受金融危機(jī)影響較小 54
五、模擬IC遭受重挫，無(wú)線(xiàn)下滑幅度最小 55
第二節(jié) 2009-2010年主要國(guó)家或地區(qū)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)分析 56
一、比利時(shí)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 56
二、德國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 56
三、日本半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 57
四、韓國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 57
五、中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 59
第四章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析 63
第一節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展概述 63
一、全球代工將形成兩強(qiáng)的新格局 63
二、應(yīng)加強(qiáng)與中國(guó)本地制造商合作 65
三、電子材料業(yè)對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)的影響 66
第二節(jié) 2009-2010年半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)動(dòng)態(tài) 66
一、元器件企業(yè)增勢(shì)強(qiáng)勁 66
二、應(yīng)用材料企業(yè)進(jìn)軍封裝 66
第三節(jié) 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展存在問(wèn)題分析 67
第五章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)分析 69
第一節(jié) 2009-2010年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀分析 69
一、硅太陽(yáng)能技術(shù)占主導(dǎo) 69
二、產(chǎn)業(yè)呼喚政策擴(kuò)大內(nèi)需 69
第二節(jié) 2009-2010年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)動(dòng)態(tài)分析 70
一、功率半導(dǎo)體技術(shù)動(dòng)態(tài) 70
二、閃光驅(qū)動(dòng)器技術(shù)動(dòng)態(tài) 71
三、封裝技術(shù)動(dòng)態(tài) 72
四、太陽(yáng)光電系統(tǒng)技術(shù)動(dòng)態(tài) 76
第三節(jié) 2010-2014年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)前景分析 76
第六章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料氮化鎵產(chǎn)業(yè)運(yùn)行分析 81
第一節(jié) 2009-2010年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)介紹 81
一、第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程 81
二、當(dāng)前半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)和趨勢(shì) 81
三、寬禁帶半導(dǎo)體材料 82
第二節(jié) 2009-2010年中國(guó)氮化鎵的發(fā)展概況 82
一、氮化鎵半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r 82
二、氮化鎵照亮半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè) 83
三、GaN藍(lán)光產(chǎn)業(yè)的重要影響 85
第三節(jié) 2009-2010年中國(guó)氮化鎵的研發(fā)和應(yīng)用狀況 86
一、中科院研制成功氮化鎵基激光器 86
二、方大集團(tuán)率先實(shí)現(xiàn)氮化鎵基半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化 86
三、非極性氮化鎵材料的研究有進(jìn)展 87
四、氮化鎵的應(yīng)用范圍 87
第七章 2009-2010年中國(guó)其他半導(dǎo)體材料運(yùn)行局勢(shì)分析 88
第一節(jié) 砷化鎵 88
一、砷化鎵單晶材料國(guó)際發(fā)展概況 88
二、砷化鎵的特性 89
三、砷化鎵研究狀況 89
四、寬禁帶氮化鎵材料 90
第二節(jié) 碳化硅 93
一、半導(dǎo)體硅材料介紹 93
二、多晶硅 95
三、單晶硅和外延片 96
四、高溫碳化硅 97
第八章 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)主要指標(biāo)監(jiān)測(cè)分析 98
第一節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)回顧 98
一、競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)數(shù)量 98
二、虧損面情況 99
三、市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng) 101
四、利潤(rùn)總額增長(zhǎng) 102
五、投資資產(chǎn)增長(zhǎng)性 103
六、行業(yè)從業(yè)人數(shù)調(diào)查分析 104
第二節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)投資價(jià)值測(cè)算 106
一、銷(xiāo)售利潤(rùn)率 106
二、銷(xiāo)售毛利率 107
三、資產(chǎn)利潤(rùn)率 108
四、未來(lái)5年半導(dǎo)體分立器件制造盈利能力預(yù)測(cè) 110
第三節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷(xiāo)率調(diào)查 113
一、工業(yè)總產(chǎn)值 113
二、工業(yè)銷(xiāo)售產(chǎn)值 114
三、產(chǎn)銷(xiāo)率調(diào)查 115
第九章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)分析 117
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 117
一、國(guó)外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 117
二、國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 117
三、LED產(chǎn)業(yè)所面臨的問(wèn)題分析 117
四、2010-2014年LDE產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及前景分析 118
第二節(jié) 集成電路 119
一、中國(guó)集成電路銷(xiāo)售情況分析 119
二、集成電路及微電子組件（8542）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析 120
三、集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)分析 120
第三節(jié) 電子元器件 121
一、電子元器件的發(fā)展特點(diǎn)分析 121
二、電子元件產(chǎn)量分析 122
三、電子元器件的趨勢(shì)分析 123
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 124
一、半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)分析 124
二、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析 124
三、半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢(shì)分析 125
第十章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析 127
第一節(jié) 2009-2010年歐洲半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 127
第二節(jié) 2009-2010年我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 128
一、半導(dǎo)體照明應(yīng)用市場(chǎng)突破分析 128
二、單芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 129
三、太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 131
第三節(jié) 2009-2010年我國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 132
一、國(guó)內(nèi)硅材料企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 132
二、政企聯(lián)動(dòng)競(jìng)爭(zhēng)分析 132
第十一章 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商競(jìng)爭(zhēng)性財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析 134
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 134
一、企業(yè)概況 134
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 134
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 134
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 135
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 135
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 136
一、企業(yè)概況 136
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 137
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 137
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 137
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 138
第三節(jié) 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 138
一、企業(yè)概況 138
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 139
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 139
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 139
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 140
第四節(jié) 南京華東電子信息科技股份有限公司 140
一、企業(yè)概況 141
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 141
三、企業(yè)成長(zhǎng)性分析 141
四、企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析 142
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 142
第五節(jié) 峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng) 143
一、企業(yè)基本概況 143
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 143
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 144
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 145
第六節(jié) 洛陽(yáng)中硅高科有限公司 145
一、企業(yè)基本概況 145
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 145
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 146
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 147
第七節(jié) 北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司 147
一、企業(yè)基本概況 147
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 147
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 148
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 149
第八節(jié) 北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司 149
一、企業(yè)基本概況 149
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 149
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 150
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 151
第九節(jié) 上海九晶電子材料有限公司 151
一、企業(yè)基本概況 151
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 152
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 152
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 153
第十節(jié) 東莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司 153
一、企業(yè)基本概況 154
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 154
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 154
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 155
第十一節(jié) 河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司 155
一、企業(yè)基本概況 156
二、企業(yè)收入及盈利指標(biāo)表 156
三、企業(yè)資產(chǎn)及負(fù)債情況分析 157
四、企業(yè)成本費(fèi)用情況 157
第十二章 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析 159
第一節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)趨勢(shì) 159
一、2010-2014年國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)分析 159
二、市場(chǎng)低迷創(chuàng)新機(jī)遇分析 159
三、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)整合 159
第二節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 161
一、全球光通信市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 161
二、化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 162
第三節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額預(yù)測(cè)分析 163
第四節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)分析 164
一、半導(dǎo)體電子設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 164
二、GPS芯片產(chǎn)量預(yù)測(cè)分析 165
三、高性能半導(dǎo)體模擬器件的發(fā)展預(yù)測(cè) 165
第十三章 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資咨詢(xún)分析 168
第一節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資環(huán)境分析 168
第二節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資機(jī)會(huì)分析 171
一、半導(dǎo)體材料投資潛力分析 171
二、半導(dǎo)體材料投資吸引力分析 171
第三節(jié) 2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)分析 173
一、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)分析 173
二、政策風(fēng)險(xiǎn)分析 173
三、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析 174
第四節(jié) 專(zhuān)家建議 174
【圖表目錄】
圖表 1 2009年中國(guó)主要宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)增長(zhǎng)表 19
圖表 2 2000-2009年中國(guó)GDP及其增長(zhǎng)率統(tǒng)計(jì)表 19
圖表 3 2003-2009年中國(guó)GDP增長(zhǎng)率季度統(tǒng)計(jì)表 20
圖表 4 2003-2009年中國(guó)GDP增長(zhǎng)率季度走勢(shì)圖 21
圖表 5 1978-2009年中國(guó)居民收入及恩格爾系數(shù)統(tǒng)計(jì)表 21
圖表 6 中國(guó)城鄉(xiāng)居民收入走勢(shì)對(duì)比 22
圖表 7 1978-2008中國(guó)城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)對(duì)比表 23
圖表 8 1978-2008中國(guó)城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)走勢(shì)圖 24
圖表 9 2001-2008年中國(guó)城鎮(zhèn)化率走勢(shì)圖 25
圖表 10 2004-2009年央行歷次存貸款基準(zhǔn)利率 26
圖表 11 1984-2010年1月中國(guó)存款準(zhǔn)備金率歷次調(diào)整一覽表 26
圖表 12 央行歷次調(diào)整利率及股市第二交易日表現(xiàn)情況 28
圖表 13 05~09年中國(guó)財(cái)政收入增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 30
圖表 14 2000-2009年中國(guó)網(wǎng)民規(guī)模增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 38
圖表 15 2005-2009年中國(guó)大陸網(wǎng)民規(guī)模與互聯(lián)網(wǎng)普及率 38
圖表 16 截止至2009年6月中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表 39
圖表 17 部分國(guó)家的互聯(lián)網(wǎng)普及率統(tǒng)計(jì)表 39
圖表 18 截止至2009年6月中國(guó)網(wǎng)民性別結(jié)構(gòu)分布圖 40
圖表 19 截止至2009年6月網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用使用率排名和類(lèi)別 40
圖表 20 網(wǎng)民對(duì)生活形態(tài)語(yǔ)句的總體認(rèn)同度統(tǒng)計(jì)表 41
圖表 21 釬鋅礦GAN和閃鋅礦GAN的特性 46
圖表 22 雙氣流MOCVD生長(zhǎng)GAN裝置 48
圖表 23 GAN基器件與CAAS及SIC器件的性能比較 49
圖表 24 2009年全球各地區(qū)半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入表（單位：百萬(wàn)美元） 54
圖表 25 2009年全球半導(dǎo)體廠(chǎng)商營(yíng)業(yè)收入的最終排名表（百萬(wàn)美元） 55
圖表 26 韓國(guó)政府促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃和立法 58
圖表 27 2009年第四季我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)及預(yù)估(單位：億新臺(tái)幣) 61
圖表 28 全球FABLESS與半導(dǎo)體銷(xiāo)售額走勢(shì)情況 63
圖表 29 全球代工市場(chǎng) 64
圖表 30 LED照明在各種應(yīng)用的滲透比例 77
圖表 31 基于安森美半導(dǎo)體CAT4026的大尺寸LED背光液晶電視多通道線(xiàn)性側(cè)光方案 79
圖表 32 GAAS單晶生產(chǎn)方法比較 88
圖表 33 世界GAAS單晶主要生產(chǎn)廠(chǎng)家 89
圖表 34 SIC器件的研究概表 91
圖表 35 現(xiàn)代微電子工業(yè)對(duì)硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求 94
圖表 36 多晶硅質(zhì)量指標(biāo) 95
圖表 37 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 98
圖表 38 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)虧損企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 100
圖表 39 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)虧損額增長(zhǎng)情況 100
圖表 40 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 101
圖表 41 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)利潤(rùn)總額增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 102
圖表 42 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)資產(chǎn)增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 103
圖表 43 2008-2009年金融危機(jī)影響下全球著名企業(yè)裁員名錄 104
圖表 44 2006-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)從業(yè)人數(shù)增長(zhǎng)趨勢(shì)圖 105
圖表 45 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售利潤(rùn)率走勢(shì)圖 106
圖表 46 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售毛利率走勢(shì)圖 107
圖表 47 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率指標(biāo)統(tǒng)計(jì)表 108
圖表 48 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖 109
圖表 49 2005-2009年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖 109
圖表 50 2009-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售毛利率走勢(shì)圖 110
圖表 51 2009-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)銷(xiāo)售利潤(rùn)率走勢(shì)圖 111
圖表 52 2009-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤(rùn)率走勢(shì)圖 112
圖表 53 2006-2008年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值情況 114
圖表 54 2006-2008年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)工業(yè)銷(xiāo)售產(chǎn)值走勢(shì) 114
圖表 55 2006-2008年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷(xiāo)率走勢(shì)圖 115
圖表 56 2005-2009年中國(guó)集成電路市場(chǎng)銷(xiāo)售額規(guī)模及增長(zhǎng)圖 119
圖表 57 2002-2009年中國(guó)集成電路及微電子組件進(jìn)出口統(tǒng)計(jì)表 120
圖表 58 2007-2009年中國(guó)各省市集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)（萬(wàn)塊） 120
圖表 59 2007-2009年中國(guó)各省市電子元件產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)表（萬(wàn)只） 122
圖表 60 2007-2009年中國(guó)各省市半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)表（萬(wàn)只） 124
圖表 61 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 134
圖表 62 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 134
圖表 63 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 135
圖表 64 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 135
圖表 65 2002-2009年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司償債能力指標(biāo)表 135
圖表 66 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 137
圖表 67 2005-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 137
圖表 68 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 137
圖表 69 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 138
圖表 70 2004-2009年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司償債能力指標(biāo)表 138
圖表 71 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 139
圖表 72 2004-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 139
圖表 73 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 139
圖表 74 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 140
圖表 75 2003-2009年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司償債能力指標(biāo)表 140
圖表 76 2002-2009年南京華東電子信息科技股份有限公司主要財(cái)務(wù)指標(biāo)表 141
圖表 77 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司成長(zhǎng)性指標(biāo)表 141
圖表 78 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力指標(biāo)表 142
圖表 79 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司盈利能力指標(biāo)表 142
圖表 80 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司償債能力指標(biāo)表 142
圖表 81 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)收入狀況表 143
圖表 82 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)盈利指標(biāo)表 143
圖表 83 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)盈利比率 144
圖表 84 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)資產(chǎn)指標(biāo)表 144
圖表 85 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)負(fù)債指標(biāo)表 144
圖表 86 2008-2009年峨眉半導(dǎo)體材料廠(chǎng)成本費(fèi)用構(gòu)成表 145
圖表 87 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司收入狀況表 145
圖表 88 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司盈利指標(biāo)表 146
圖表 89 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司盈利比率 146
圖表 90 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 146
圖表 91 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司負(fù)債指標(biāo)表 146
圖表 92 2008-2009年洛陽(yáng)中硅高科有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 147
圖表 93 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司收入狀況表 148
圖表 94 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司盈利指標(biāo)表 148
圖表 95 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司盈利比率 148
圖表 96 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 148
圖表 97 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司負(fù)債指標(biāo)表 149
圖表 98 2008-2009年北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 149
圖表 99 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司收入狀況表 150
圖表 100 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司盈利指標(biāo)表 150
圖表 101 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司盈利比率 150
圖表 102 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 150
圖表 103 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司負(fù)債指標(biāo)表 151
圖表 104 2008-2009年北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 151
圖表 105 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司收入狀況表 152
圖表 106 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司盈利指標(biāo)表 152
圖表 107 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司盈利比率 152
圖表 108 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 153
圖表 109 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司負(fù)債指標(biāo)表 153
圖表 110 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 153
圖表 111 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司收入狀況表 154
圖表 112 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司盈利指標(biāo)表 154
圖表 113 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司盈利比率 154
圖表 114 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司資產(chǎn)指標(biāo)表 155
圖表 115 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司負(fù)債指標(biāo)表 155
圖表 116 2008-2009年?yáng)|莞鈦升半導(dǎo)體材料有限公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 155
圖表 117 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司收入狀況表 156
圖表 118 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司盈利指標(biāo)表 156
圖表 119 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司盈利比率 157
圖表 120 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司資產(chǎn)指標(biāo)表 157
圖表 121 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司負(fù)債指標(biāo)表 157
圖表 122 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責(zé)任公司成本費(fèi)用構(gòu)成表 158
圖表 123 2008-2014年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)及預(yù)測(cè)情況 163
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引用廣泛
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