2025-2031年中國射頻前端芯片市場前景研究與行業(yè)競爭對手分析報告射頻前端芯片 射頻前端芯片市場分析2025-2031年中國射頻前端芯片市場前景研究與行業(yè)競爭對手分析報告,首先介紹了射頻前端芯片的相關(guān)概念,接著分析了中國射頻前端芯片行業(yè)發(fā)展環(huán)境及運行狀況,隨后,報告對中國射頻前端芯片細(xì)分市場、產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)及應(yīng)用市場進(jìn)行了詳細(xì)分析。接下來,報告分析了國內(nèi)外

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2025-2031年中國射頻前端芯片市場前景研究與行業(yè)競爭對手分析報告

Tag:射頻前端芯片  
射頻前端(RFEE)是移動通信設(shè)備的重要部件。其扮演著兩個角色,在發(fā)射信號的過程中扮演著將二進(jìn)制信號轉(zhuǎn)換成高頻率的無線電磁波信號,在接收信號的過程中將收到的電磁波信號轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)字信號。射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉(zhuǎn)換成一定的無線電信號波形,并通過天線諧振發(fā)送出去的一個電子元器件,它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開關(guān)。射頻芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。
在射頻芯片領(lǐng)域,市場主要被海外巨頭所壟斷,海外的主要公司有Qrovo,skyworks和Broadcom;國內(nèi)射頻芯片方面,沒有公司能夠獨立支撐IDM的運營模式,主要為Fabless設(shè)計類公司;國內(nèi)企業(yè)通過設(shè)計、代工、封裝環(huán)節(jié)的協(xié)同,形成了“軟IDM”的運營模式。
隨著5G的商用,射頻芯片的重要性也隨之提升。以射頻PA為例,一臺4G手機(jī)所需的射頻PA芯片為5-7顆,而5G時代將達(dá)到16顆之多,且單顆芯片價值比4G芯片更高,市場需求暴漲一倍有余。并且5G基站、窄帶互聯(lián)網(wǎng)等5G“基礎(chǔ)建設(shè)”也離不開射頻芯片?梢哉f,5G時代給了射頻行業(yè)一方更廣闊的舞臺。2022年中國大陸地區(qū)射頻前端銷售額約為20億美元,而三年前,這一數(shù)字僅為3億美元,三年時間市場擴(kuò)張了六倍。
2020年6月6日,工業(yè)和信息化部向中國電信、中國移動、中國聯(lián)通、中國廣電四家企業(yè)發(fā)放了5G商用牌照,標(biāo)志著我國5G正式進(jìn)入商用推廣發(fā)展新階段。隨著5G商業(yè)化的逐步臨近,5G標(biāo)準(zhǔn)下現(xiàn)有的移動通信、物聯(lián)網(wǎng)通信標(biāo)準(zhǔn)將進(jìn)行統(tǒng)一,因此未來在統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)下射頻前端芯片產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域會被進(jìn)一步放大。同時,5G下單個智能手機(jī)的射頻前端芯片價值亦將繼續(xù)上升,預(yù)計未來射頻前端市場也會繼續(xù)保持增長。
產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國射頻前端芯片市場前景研究與行業(yè)競爭對手分析報告》共十一章。首先介紹了射頻前端芯片的相關(guān)概念,接著分析了中國射頻前端芯片行業(yè)發(fā)展環(huán)境及運行狀況,隨后,報告對中國射頻前端芯片細(xì)分市場、產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)及應(yīng)用市場進(jìn)行了詳細(xì)分析。接下來,報告分析了國內(nèi)外射頻前端芯片重點企業(yè)的經(jīng)營狀況。最后,報告分析了射頻前端芯片行業(yè)的投資價值并對行業(yè)未來發(fā)展前景做了科學(xué)預(yù)測。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計局、發(fā)改委、商務(wù)部、工信部、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點刊物等渠道,數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實、豐富,同時通過專業(yè)的分析預(yù)測模型,對行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測。您或貴單位若想對射頻前端芯片行業(yè)有個系統(tǒng)深入的了解、或者想投資射頻前端芯片行業(yè),本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

報告目錄:
第一章 射頻前端芯片基本概述
1.1 射頻前端芯片概念闡釋
1.1.1 射頻前端芯片基本概念
1.1.2 射頻前端芯片系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
1.1.3 射頻前端芯片組成器件
1.2 射頻前端芯片的工作原理
1.2.1 接收電路工作原理
1.2.2 發(fā)射電路工作原理
1.3 射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
1.3.1 射頻前端產(chǎn)業(yè)鏈
1.3.2 射頻芯片設(shè)計
1.3.3 射頻芯片代工
1.3.4 射頻芯片封裝

第二章 2021-2024年射頻前端芯片行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
2.1 政策環(huán)境
2.1.1 主要政策分析
2.1.2 網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)國戰(zhàn)略
2.1.3 相關(guān)優(yōu)惠政策
2.1.4 相關(guān)利好政策
2.2 經(jīng)濟(jì)環(huán)境
2.2.1 宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展概況
2.2.2 工業(yè)經(jīng)濟(jì)運行情況
2.2.3 經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級態(tài)勢
2.2.4 未來宏觀經(jīng)濟(jì)展望
2.3 社會環(huán)境
2.3.1 移動網(wǎng)絡(luò)運行狀況
2.3.2 研發(fā)經(jīng)費投入增長
2.3.3 科技人才隊伍壯大
2.3.4 新冠疫情影響分析
2.4 技術(shù)環(huán)境
2.4.1 無線通訊技術(shù)進(jìn)展
2.4.2 5G技術(shù)迅速發(fā)展
2.4.3 氮化鎵技術(shù)現(xiàn)狀

第三章 2021-2024年射頻前端芯片行業(yè)發(fā)展分析
3.1 全球射頻前端芯片行業(yè)運行分析
3.1.1 行業(yè)需求狀況
3.1.2 市場發(fā)展規(guī)模
3.1.3 市場份額占比
3.1.4 市場核心企業(yè)
3.1.5 市場競爭格局
3.2 2021-2024年中國射頻前端芯片行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1 行業(yè)發(fā)展歷程
3.2.2 產(chǎn)業(yè)商業(yè)模式
3.2.3 市場發(fā)展規(guī)模
3.2.4 市場競爭狀況
3.3 中國射頻前端芯片行業(yè)競爭壁壘分析
3.3.1 實現(xiàn)工藝難度大
3.3.2 廠商模組化方案
3.3.3 基帶廠商話語權(quán)
3.4 5G技術(shù)發(fā)展背景下射頻前端芯片的發(fā)展?jié)摿?
3.4.1 5G技術(shù)性能變化
3.4.2 5G技術(shù)手段升級
3.4.3 射頻器件模組化
3.4.4 國產(chǎn)化發(fā)展路徑

第四章 2021-2024年中國射頻前端細(xì)分市場發(fā)展分析
4.1 2021-2024年濾波器市場發(fā)展?fàn)顩r
4.1.1 濾波器基本概述
4.1.2 濾波器市場規(guī)模
4.1.3 濾波器競爭格局
4.1.4 濾波器發(fā)展前景
4.2 2021-2024年射頻開關(guān)市場發(fā)展?fàn)顩r
4.2.1 射頻開關(guān)基本概述
4.2.2 射頻開關(guān)市場規(guī)模
4.2.3 射頻開關(guān)競爭格局
4.2.4 射頻開關(guān)發(fā)展前景
4.3 2021-2024年功率放大器(PA)市場發(fā)展?fàn)顩r
4.3.1 射頻PA基本概述
4.3.2 射頻PA市場規(guī)模
4.3.3 射頻PA競爭格局
4.3.4 射頻PA發(fā)展前景
4.4 2021-2024年低噪聲放大器(LNA)市場發(fā)展?fàn)顩r
4.4.1 LNA基本概述
4.4.2 LNA市場規(guī)模
4.4.3 LNA競爭格局
4.4.4 LNA發(fā)展前景

第五章 2021-2024年氮化鎵射頻器件行業(yè)發(fā)展分析
5.1 氮化鎵材料基本概述
5.1.1 氮化鎵基本概念
5.1.2 氮化鎵形成階段
5.1.3 氮化鎵性能優(yōu)勢
5.1.4 氮化鎵功能作用
5.2 氮化鎵器件應(yīng)用現(xiàn)狀分析
5.2.1 氮化鎵器件性能優(yōu)勢
5.2.2 氮化鎵器件應(yīng)用廣泛
5.2.3 硅基氮化鎵襯底技術(shù)
5.3 氮化鎵射頻器件市場運行分析
5.3.1 市場發(fā)展?fàn)顩r
5.3.2 行業(yè)廠商介紹
5.3.3 市場發(fā)展空間

第六章 中國射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)發(fā)展剖析
6.1 射頻前端芯片設(shè)計
6.1.1 芯片設(shè)計市場發(fā)展規(guī)模
6.1.2 芯片設(shè)計企業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.3 芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)地域分布
6.1.4 射頻芯片設(shè)計企業(yè)動態(tài)
6.1.5 射頻芯片設(shè)計技術(shù)突破
6.2 射頻前端芯片代工
6.2.1 芯片代工市場發(fā)展規(guī)模
6.2.2 芯片代工市場競爭格局
6.2.3 射頻芯片代工市場現(xiàn)狀
6.2.4 射頻芯片代工企業(yè)動態(tài)
6.3 射頻前端芯片封裝
6.3.1 芯片封裝行業(yè)基本介紹
6.3.2 芯片封裝市場發(fā)展規(guī)模
6.3.3 射頻芯片封裝企業(yè)動態(tài)
6.3.4 射頻芯片封裝技術(shù)趨勢

第七章 2021-2024年射頻前端芯片應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
7.1 智能移動終端
7.1.1 智能移動終端運行狀況
7.1.2 智能移動終端競爭格局
7.1.3 手機(jī)射頻前端模組化
7.1.4 5G手機(jī)射頻前端的機(jī)遇
7.1.5 手機(jī)射頻材料發(fā)展前景
7.2 通信基站
7.2.1 通信基站市場發(fā)展規(guī)模
7.2.2 各地5G基站建設(shè)布局
7.2.3 5G基站對射頻前端需求
7.2.4 基站射頻器件競爭格局
7.2.5 5G基站的建設(shè)規(guī)劃目標(biāo)
7.2.6 基站天線發(fā)展機(jī)遇分析
7.3 路由器
7.3.1 路由器市場運行狀況
7.3.2 路由器市場競爭格局
7.3.3 路由器品牌競爭分析
7.3.4 路由器細(xì)分產(chǎn)品市場
7.3.5 路由器芯片發(fā)展現(xiàn)狀
7.3.6 5G路由器產(chǎn)品動態(tài)

第八章 2020-2024年國外射頻前端芯片重點企業(yè)經(jīng)營狀況
8.1 Skyworks
8.1.1 企業(yè)基本概況
8.1.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
8.1.3 業(yè)務(wù)布局分析
8.1.4 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.1.5 未來發(fā)展前景
8.2 Qorvo
8.2.1 企業(yè)基本概況
8.2.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
8.2.3 業(yè)務(wù)布局分析
8.2.4 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.2.5 未來發(fā)展前景
8.3 Broadcom
8.3.1 企業(yè)基本概況
8.3.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
8.3.3 業(yè)務(wù)布局分析
8.3.4 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.3.5 未來發(fā)展前景
8.4 Murata
8.4.1 企業(yè)基本概況
8.4.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
8.4.3 業(yè)務(wù)布局分析
8.4.4 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.4.5 未來發(fā)展前景

第九章 2020-2024年國內(nèi)射頻前端芯片重點企業(yè)經(jīng)營狀況
9.1 紫光展銳
9.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.1.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
9.1.3 企業(yè)芯片平臺
9.1.4 企業(yè)研發(fā)項目
9.1.5 企業(yè)合作發(fā)展
9.2 昂瑞微(原漢天下電子)
9.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.2.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
9.2.3 業(yè)務(wù)布局分析
9.2.4 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
9.2.5 未來發(fā)展前景
9.3 江蘇卓勝微電子股份有限公司
9.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.3.2 經(jīng)營效益分析
9.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.3.4 財務(wù)狀況分析
9.3.5 核心競爭力分析
9.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.3.7 未來前景展望
9.4 三安光電股份有限公司
9.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.4.2 經(jīng)營效益分析
9.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.4.4 財務(wù)狀況分析
9.4.5 核心競爭力分析
9.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.4.7 未來前景展望
9.5 江蘇長電科技股份有限公司
9.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 經(jīng)營效益分析
9.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.5.4 財務(wù)狀況分析
9.5.5 核心競爭力分析
9.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.5.7 未來前景展望
9.6 深圳市信維通信股份有限公司
9.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
9.6.2 經(jīng)營效益分析
9.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.6.4 財務(wù)狀況分析
9.6.5 核心競爭力分析
9.6.6 未來前景展望

第十章 對中國射頻前端芯片行業(yè)投資價值綜合分析
10.1 2021-2024年射頻芯片行業(yè)投融資狀況
10.1.1 芯片投資規(guī)模
10.1.2 巨頭并購動態(tài)
10.1.3 投資項目分析
10.1.4 企業(yè)融資動態(tài)
10.1.5 射頻芯片廠商
10.2 對射頻前端芯片投資壁壘分析
10.2.1 政策壁壘
10.2.2 資金壁壘
10.2.3 技術(shù)壁壘
10.3 對射頻前端芯片投資價值分析
10.3.1 行業(yè)投資機(jī)會
10.3.2 行業(yè)進(jìn)入時機(jī)
10.3.3 國產(chǎn)化投資前景
10.3.4 行業(yè)投資建議
10.3.5 投資風(fēng)險提示

第十一章 對2025-2031年中國射頻前端芯片行業(yè)發(fā)展趨勢和前景預(yù)測分析
11.1 射頻前端芯片發(fā)展前景展望
11.1.1 手機(jī)射頻前端發(fā)展?jié)摿?
11.1.2 基站射頻前端空間預(yù)測
11.1.3 射頻前端市場空間測算
11.2 對2025-2031年中國射頻前端芯片行業(yè)預(yù)測分析
11.2.1 2025-2031年中國射頻前端芯片行業(yè)影響因素分析
11.2.2 2025-2031年中國射頻前端芯片市場規(guī)模預(yù)測

圖表目錄
圖表 智能終端通信系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖
圖表 部分射頻器件功能簡介
圖表 射頻前端結(jié)構(gòu)示意圖
圖表 射頻開關(guān)工作原理
圖表 聲表面波濾波器(SAW)原理圖
圖表 體聲波濾波器(BAW)原理圖
圖表 SAW與BAW適用頻率范圍
圖表 射頻低噪聲放大器工作原理
圖表 功率放大器工作原理
圖表 雙工器工作原理
圖表 射頻前端產(chǎn)業(yè)鏈圖譜
圖表 5G產(chǎn)業(yè)主要政策
圖表 2017-2022年國內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表 2017-2022年全國三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表 2017-2022年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表 2022年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表 2021-2023年規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度
圖表 2023年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
圖表 2020-2024年中國網(wǎng)民規(guī)模和互聯(lián)網(wǎng)普及率
圖表 2020-2024年手機(jī)網(wǎng)民規(guī)模及其占網(wǎng)民比例
圖表 2017-2022年研究與試驗發(fā)展(R&D)經(jīng)費支出及其增長速度
圖表 專利申請、授權(quán)和有效專利情況
圖表 我國移動通信技術(shù)演進(jìn)情況
圖表 全球移動終端出貨量
圖表 2011-2024年全球射頻前端市場規(guī)模及預(yù)測
圖表 全球主要射頻器件市場份額占比
圖表 全球射頻前端細(xì)分主要廠商
圖表 全球射頻前端市場競爭格局
圖表 射頻前端向模塊發(fā)展
圖表 射頻前端行業(yè)商業(yè)模式
圖表 Fabless模式下產(chǎn)業(yè)鏈分工
圖表 中國射頻前端芯片市場規(guī)模及增長
圖表 國內(nèi)射頻前端產(chǎn)業(yè)鏈廠商分布
圖表 濾波器主要廠商的產(chǎn)品線與類型
圖表 射頻前端產(chǎn)業(yè)鏈模組化趨勢
圖表 主要射頻廠商模組化方案
圖表 4G到5G的主要技術(shù)指標(biāo)差異點
圖表 5G的三大場景(eMBB、mMTC與uRLCC)
圖表 具有4×4MIMO的3下行鏈路CA
圖表 CA的進(jìn)步
圖表 波束控制5G端到端固定無線接入網(wǎng)絡(luò)
圖表 有源天線系統(tǒng)和波束控制RFFE
圖表 各使用案例中的RF通信技術(shù)
圖表 射頻前端發(fā)射/接收鏈路和子鏈路的模組化
圖表 射頻模組集成度分類名稱
圖表 國內(nèi)SAW濾波器需求量
圖表 中國SAW濾波器市場規(guī)模
圖表 SAW濾波器競爭格局
圖表 BAW濾波器競爭格局
圖表 國內(nèi)濾波器公司詳情
圖表 單部手機(jī)所含濾波器的價值量
圖表 射頻開關(guān)關(guān)鍵參數(shù)
圖表 全球射頻開關(guān)市場規(guī)模
圖表 射頻開關(guān)市場競爭格局
圖表 PA全球市場規(guī)模
圖表 PA市場競爭格局
圖表 國內(nèi)PA廠商概況
圖表 全球低噪聲放大器市場規(guī)模
圖表 半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表 半導(dǎo)體材料性能比較
圖表 砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表 三代半導(dǎo)體材料主要參數(shù)的對比
圖表 氮化鎵(GaN)器件同時具有高功率和高頻率的特點
圖表 氮化鎵(GaN)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于射頻器件(RF)、LED和功率器件等
圖表 氮化鎵(GaN)器件應(yīng)用廣泛
圖表 GaN在不同層面的優(yōu)點
圖表 GaN-on-SiC和GaN-on-Si的不同應(yīng)用領(lǐng)域
圖表 1992-2021年通信技術(shù)的演進(jìn)時間軸

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