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2025-2031年中國第三代半導(dǎo)體市場研究與前景趨勢報(bào)告

字體大�。�大中小2024-10-24 中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng) http://m.sjzruhua.cn

【報(bào)告名稱】2025-2031年中國第三代半導(dǎo)體市場研究與前景趨勢報(bào)告
【關(guān) 鍵字】第三代半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體市場分析
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第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev），也稱為高溫半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表。
隨著5G、新能源汽車等市場發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長。同時(shí)，中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響給國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料帶來了發(fā)展良機(jī)。2024年在國內(nèi)大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長乏力的大背景下，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)逆勢增長。2024年，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)到58億元，同比增長29.6%。GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到69億元，同比增長13.5%。2020-2024年，中國第三代半導(dǎo)體專利申請數(shù)量處于領(lǐng)先地位；截至2024年12月16日，我國第三代半導(dǎo)體專利申請數(shù)量為1582件。
區(qū)域方面，我國第三代半導(dǎo)體初步形成了京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域。從代表性企業(yè)分布情況來看，江蘇省第三代半導(dǎo)體代表性企業(yè)分布最多，如蘇州納維、晶湛半導(dǎo)體、英諾賽科等。同時(shí)廣東、山東代表性企業(yè)也有較多代表性企業(yè)分布。從專利數(shù)量看，截至2024年12月16日，江蘇省為中國當(dāng)前申請第三代半導(dǎo)體專利數(shù)量最多的省份，累計(jì)當(dāng)前第三代半導(dǎo)體專利申請數(shù)量高達(dá)2860項(xiàng)。北京、山東、廣東、陜西和浙江當(dāng)前申請第三代半導(dǎo)體專利數(shù)量均超過1000項(xiàng)。中國當(dāng)前申請省（市、自治區(qū)）第三代半導(dǎo)體專利數(shù)量排名前十的省份還有河南省、上海市、湖南省和安徽省。
2024年3月12日，《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2024年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》全文正式發(fā)布。在事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎(chǔ)核心領(lǐng)域，《綱要》提到制定實(shí)施戰(zhàn)略性科學(xué)計(jì)劃和科學(xué)工程。其中，集成電路攻關(guān)方面，《綱要》重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)推進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)工具、中電裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)、集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進(jìn)存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等礦禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。2024年6月，《長三角G60科創(chuàng)走廊建設(shè)方案》提出在重點(diǎn)領(lǐng)域培育一批具有國際競爭力的龍頭企業(yè)，加快布局量子信息、類腦芯片、第三代半導(dǎo)體、基因編輯等一批未來企業(yè)。2024年1月4日，工業(yè)和信息化部、住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部、交通運(yùn)輸部、農(nóng)業(yè)農(nóng)村部和國家能源局聯(lián)合印發(fā)《智能光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動計(jì)劃（2025-2031年）》。計(jì)劃特別指出要開發(fā)基于寬禁帶材料及功率器件、芯片的逆變器。
我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)都取得較好進(jìn)展，但在材料指標(biāo)、器件性能等方面與國外先進(jìn)水平仍存在一定差距，市場繼續(xù)被國際巨頭占據(jù)，國產(chǎn)化需求迫切。我國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國第三代半導(dǎo)體市場研究與前景趨勢報(bào)告》共十二章。首先介紹了第三代半導(dǎo)體行業(yè)的總體概況及全球行業(yè)發(fā)展形勢，接著分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展環(huán)境、市場總體發(fā)展?fàn)顩r以及全國重要區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r。然后分別對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)行業(yè)、行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)的經(jīng)營狀況及行業(yè)項(xiàng)目案例投資進(jìn)行了詳盡的透析。最后，報(bào)告對第三代半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行了投資分析并對行業(yè)未來發(fā)展前景進(jìn)行了科學(xué)的預(yù)測。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計(jì)局、商務(wù)部、工信部、中國海關(guān)總署、半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點(diǎn)刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實(shí)、豐富，同時(shí)通過專業(yè)的分析預(yù)測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測。您或貴單位若想對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)深入的了解、或者想投資第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，本報(bào)告將是您不可或缺的重要參考工具。

報(bào)告目錄：
第一章　第三代半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.1　第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進(jìn)全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點(diǎn)
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工

第二章　2020-2024年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1　2020-2024年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1　標(biāo)準(zhǔn)制定情況
2.1.2　國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進(jìn)展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進(jìn)展
2.1.6　企業(yè)競爭格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動態(tài)
2.2　美國
2.2.1　經(jīng)費(fèi)投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4　項(xiàng)目研發(fā)情況
2.2.5　項(xiàng)目建設(shè)動態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國際合作動態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　項(xiàng)目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點(diǎn)

第三章　2020-2024年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2　工業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行
3.2.3　投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4　宏觀經(jīng)濟(jì)展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入
3.3.4　技術(shù)人才儲備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

第四章　2020-2024年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴(kuò)大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　2020-2024年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運(yùn)行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)能項(xiàng)目規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.4　國產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2020-2024年中國第三代半導(dǎo)體市場運(yùn)行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細(xì)分市場規(guī)模
4.3.3　市場應(yīng)用分布
4.3.4　企業(yè)競爭格局
4.3.5　產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4　2020-2024年中國第三代半導(dǎo)體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價(jià)格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進(jìn)難題
4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設(shè)發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強(qiáng)企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動應(yīng)用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路

第五章　2020-2024年第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價(jià)格走勢
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5　應(yīng)用市場預(yù)測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險(xiǎn)控制建議

第六章　2020-2024年第三代半導(dǎo)體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點(diǎn)
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)發(fā)展路線
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3　材料價(jià)格走勢
6.2.4　材料市場規(guī)模
6.2.5　材料技術(shù)水平
6.2.6　市場應(yīng)用情況
6.2.7　企業(yè)競爭格局
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品布局
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3　電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4　電動汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5　家用電器和消費(fèi)類電子應(yīng)用

第七章　2020-2024年第三代半導(dǎo)體其他材料發(fā)展?fàn)顩r分析
7.1�、笞宓锇雽�(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢
7.3.3　材料國外進(jìn)展
7.3.4　國內(nèi)研究成果
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點(diǎn)
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.6　國產(chǎn)替代機(jī)遇
7.4.7　材料發(fā)展難點(diǎn)

第八章　2020-2024年第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點(diǎn)
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2020-2024年電子電力領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.4　國內(nèi)應(yīng)用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價(jià)格走勢
8.3　2020-2024年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應(yīng)用規(guī)模
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢
8.4　2020-2024年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應(yīng)用市場分布
8.4.5　技術(shù)發(fā)展方向
8.4.6　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　2020-2024年半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　市場規(guī)�，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國產(chǎn)化趨勢
8.6　2020-2024年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1　5G建設(shè)進(jìn)程
8.6.2　應(yīng)用市場規(guī)模
8.6.3　基站需求規(guī)模
8.6.4　應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　2020-2024年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應(yīng)用場景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場應(yīng)用空間
8.7.5　市場需求預(yù)測

第九章　2020-2024年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1　2020-2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入

第十章　2020-2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務(wù)布局動態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關(guān)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.2.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營效益分析
10.7.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.7.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.7.5　核心競爭力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7　未來前景展望

第十一章　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資價(jià)值綜合評估
11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資項(xiàng)目
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3　行業(yè)競爭風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機(jī)遇
11.5.2　收購企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6　投資項(xiàng)目案例
11.6.1　項(xiàng)目基本概述
11.6.2　項(xiàng)目建設(shè)必要性
11.6.3　項(xiàng)目建設(shè)可行性
11.6.4　項(xiàng)目資金概算
11.6.5　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益

第十二章　2025-2031年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預(yù)測
12.1　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢
12.2　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機(jī)遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2025-2031年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
12.3.1　2025-2031年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析
12.3.2　2025-2031年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測
附錄
附錄一：新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表目錄
圖表1　第三代半導(dǎo)體特點(diǎn)
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　國際電工委員會（IEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表15　固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會（JEDEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表16　國際部分汽車電子標(biāo)準(zhǔn)
圖表17　2020-2024年RFGaNHEMT和SiLDMOS平均價(jià)格
圖表18　2020-2024年國外SiC技術(shù)進(jìn)展
圖表19　國際上已經(jīng)商業(yè)化的SiCSBD的器件性能
圖表20　2024年國際企業(yè)新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品
圖表21　國際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2024年國際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23　國際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25　2024年國際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26　國際主要三代半上市企業(yè)最新業(yè)績
圖表27　2024年第三代半導(dǎo)體國際相關(guān)企業(yè)動向
圖表28　2024年國際部分企業(yè)第三代半導(dǎo)體相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目
圖表29　2024年主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)合作動態(tài)
圖表30　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表31　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表32　2024年美國設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目

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