2013年我國(guó)微納光學(xué)制造行業(yè)核心技術(shù)水平與發(fā)展趨勢(shì)

中國(guó)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)訊：

    微納光學(xué)制造的核心是光刻技術(shù)，而體現(xiàn)一家公司技術(shù)水平高低的關(guān)鍵是光刻設(shè)備的研發(fā)與制造能力。光刻設(shè)備包括激光直寫(xiě)設(shè)備和干涉光刻設(shè)備兩大類，廣泛用于微納光學(xué)制版等高技術(shù)領(lǐng)域。

    在光刻設(shè)備技術(shù)方面，目前面臨的主要問(wèn)題是：運(yùn)行速度慢，僅在平面上實(shí)現(xiàn)了微納光刻。由于設(shè)備制造上的困難，限制了向大幅面發(fā)展的速度。從行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，大幅面、微尺寸、無(wú)接縫的光刻技術(shù)是未來(lái)行業(yè)發(fā)展的方向。

    在單光束激光直寫(xiě)設(shè)備研制方面，德國(guó)海德堡公司單光束直寫(xiě)設(shè)備分辨率大于1um，美國(guó)Anvik 公司投影式高速激光刻蝕設(shè)備分辨率為5-8um，這兩款設(shè)備均為微納光學(xué)制造行業(yè)的重要設(shè)備。國(guó)內(nèi)企業(yè)多數(shù)還集中在普通激光加工領(lǐng)域，分辨率為30um。

    內(nèi)容選自產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2013-2017年中國(guó)各種光學(xué)薄膜市場(chǎng)運(yùn)行分析及發(fā)展策略研究報(bào)告》

    在雙光束干涉光刻設(shè)備的研制方面，美國(guó)ITW 公司的iScan 僅實(shí)現(xiàn)了低分辨率（100dpi，A4 幅面）激光圖像原版高速制造。在國(guó)內(nèi)，蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司研制的HoloMakerIII（150mm*150mm）成為國(guó)內(nèi)微納光學(xué)制造業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備；研制的寬幅紫外DPSSL 高速干涉與直寫(xiě)混合光刻設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了65 寸大幅面下5080dpi 高分辨率微結(jié)構(gòu)圖形（400nm 線對(duì)）的快速（500mm/s）極限制造，運(yùn)行效率比傳統(tǒng)激光直寫(xiě)提高數(shù)十倍以上，是行業(yè)內(nèi)較好的指標(biāo)。